Die heteroübergreifende Funktion mit intrinsischer Dünnschicht (kurz HJT) Solarmodule sind eine effiziente Photovoltaik-Technologie, die die Vorteile von kristallinen Silizium und amorphem Silizium-Dünnfilmen kombiniert. Eine detaillierte Einführung der Struktur und des Arbeitsmechanismus in die Heteroübergang:
1. Kernstruktur:
Kristalline Siliziumsubstrat vom Typ N-Typ: Als Absorptionsschicht ist es normalerweise ein monokristallines Silizium mit hoher Purity und hat die Vorteile der Lebensdauer mit niedrigem Träger und lichtinduzierter Zerfall (Deckel) .}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}
Intrinsischer amorpher Silizium-Dünnfilm (IA-Si: H): Abgelagert auf beiden Seiten des Siliziumwafers, um Oberflächendefekte zu besiegen und die Trägerrekombination zu reduzieren .
Dotierte amorphe Siliziumschichten: P-Typ (vordere Seite) und N-Typ (Rückseite) Amorphe Siliziumschichten bilden eine heteroübergreifende Funktion, wobei ein integriertes elektrisches Feld so konstruiert wird, dass sie fotogenerierte Träger trennen .
Transparentes leitendes Oxid (TCO): wie ITO, beschichtet auf einer amorphen Siliziumschicht, verbessert die laterale Leitfähigkeit und reduziert die Lichtreflexion .
Metall-Gate-Elektrode: Erfasst Strom, in der Regel ein feines Gitterdrahtdesign mit niedriger Lichtblockierungsrate .
2. Arbeitsmechanismus:
Nach der Lichtbestrahlung absorbiert das Silizium-Substrat Photonen, um Elektronenlochpaare zu erzeugen, die sich unter der Wirkung des eingebauten elektrischen Feldes und des Ausgangsstroms durch die Elektroden trennen . Die amorphe Siliziumschicht passiviert die Oberfläche und fördert den Transport .}}}}. Verbesserung .
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